0 0 0
  8. G3R160MT12D

Транзисторы с каналом N THT G3R160MT12D

 
G3R160MT12D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451833
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
613.97 грн
3+
425.60 грн
7+
402.34 грн
600+
386.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 932 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
123Вт(1741841)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
28нC(1479173)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,21 g
 
Транзисторы с каналом N THT G3R160MT12D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451833
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
613.97 грн
3+
425.60 грн
7+
402.34 грн
600+
386.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 932 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
123Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
28нC
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,21 g