0 0 0
  7. DMC2700UDM-7

Транзисторы многоканальные DMC2700UDM-7

 
DMC2700UDM-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000162
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.02 грн
25+
7.06 грн
100+
5.74 грн
182+
5.36 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2245 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT26(1492497)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
1,14/-1,34А(1643474)
Сопротивление в открытом состоянии
0,4/0,7Ом(1644034)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,12Вт(1742036)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы многоканальные DMC2700UDM-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000162
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.02 грн
25+
7.06 грн
100+
5.74 грн
182+
5.36 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2245 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT26
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
1,14/-1,34А
Сопротивление в открытом состоянии
0,4/0,7Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,12Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g