0 0 0
  7. BTD5350EBWR

Драйверы MOSFET/IGBT BTD5350EBWR

 
BTD5350EBWR
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 995448
IC: driver; контроллер затвора; SOW8; 10А; Ch: 1; 3÷18ВDC; 5кВ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
131.92 грн
5+
113.96 грн
12+
85.86 грн
32+
81.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SOW8(2010156)
Напряжение питания
3...18В DC(1494456)
Выходной ток
10А(1443641)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Кол-во каналов
1(1443898)
Напряжение изоляции
5кВ(1444599)
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка(1706586) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид микросхемы
контроллер затвора(1617856)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT BTD5350EBWR
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 995448
IC: driver; контроллер затвора; SOW8; 10А; Ch: 1; 3÷18ВDC; 5кВ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
131.92 грн
5+
113.96 грн
12+
85.86 грн
32+
81.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SOW8
Напряжение питания
3...18В DC
Выходной ток
10А
Тип микросхемы
driver
Кол-во каналов
1
Напряжение изоляции
5кВ
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка
Характеристики интегральных схем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид микросхемы
контроллер затвора
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g