0 0 0
  8. B2M065120R

Транзисторы с каналом N SMD B2M065120R

 
B2M065120R
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 785710
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
822.72 грн
2+
628.36 грн
5+
594.01 грн
30+
589.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 50 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263-7(1492235)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...18В(1981581)
Ток стока в импульсном режиме
85А(1823191)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,44 g
 
Транзисторы с каналом N SMD B2M065120R
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 785710
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
822.72 грн
2+
628.36 грн
5+
594.01 грн
30+
589.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 50 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO263-7
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
60нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Ток стока в импульсном режиме
85А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,44 g