0 0 0
  8. B1M080120HK

Транзисторы с каналом N THT B1M080120HK

 
B1M080120HK
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 606173
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 204.39 грн
3+
1 138.21 грн
150+
1 094.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 13 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
27А(1441591)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
241Вт(1741832)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
149нC(1745937)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,7 g
 
Транзисторы с каналом N THT B1M080120HK
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 606173
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 204.39 грн
3+
1 138.21 грн
150+
1 094.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 13 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
27А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
241Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
149нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,7 g